碳化硅陶瓷環(huán)的優(yōu)勢及其簡介

上面幾篇文章科眾陶瓷廠帶大家了解了氮化硅陶瓷的一些性能以及其優(yōu)勢，碳化硅因跟氮化硅的組成元素有一個不同，所以導(dǎo)致它們性能也有所不同，接下來讓給我們一起了解下碳化硅陶瓷以及用碳化硅做成的陶瓷環(huán)。

碳化硅陶瓷環(huán)

碳化硅(SiC)陶瓷,具有抗氧化性強(qiáng),耐暦性能好,硬度高,熱穩(wěn)定性好,高溫強(qiáng)度大,熱膨脹系數(shù)小,熱導(dǎo)率大以及抗熱震和耐化學(xué)腐蝕等優(yōu)良特性。用碳化硅制成的陶瓷環(huán)同樣具備碳化硅陶瓷的多種優(yōu)良性能

因此,已經(jīng)在石油、化工、機(jī)械、航天、核核能等領(lǐng)域大顯身手,日益受到人們的重視?？筛鶕?jù)客戶要求進(jìn)行結(jié)構(gòu)陶瓷加工。例例如,SiC陶瓷可用作各類軸承、滾珠、噴嘴、密封件、、切切削工具、燃汽渦輪機(jī)葉片、渦輪增壓器轉(zhuǎn)子、反射屏和火箭燃燒室內(nèi)襯等等。并且可根據(jù)客戶要求進(jìn)行結(jié)構(gòu)陶瓷加工。

SiC陶瓷的優(yōu)異性能與其獨(dú)特結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。SiC是共價鍵很強(qiáng)的化合物,SiC中Si-C鍵的離子性僅12%左右。因此,SiC強(qiáng)度高、彈彈性模量大,具有優(yōu)良的耐磨損性能。純SiC不會被HCI、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空氣中加熱時易發(fā)生氧化,但氧化時表面形成的SiO2會抑制氧的進(jìn)一步擴(kuò)散,故氧化速率并不高。在電性能方面,SiC具有半導(dǎo)體性,少量雜質(zhì)的引入會表現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性。此外,SiC還有優(yōu)良的導(dǎo)熱性。

碳化硅陶瓷環(huán)

SiC具有a和β兩種晶型。β-SiC的晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系,Si和C分別組成面心立方晶格;a-SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體,其中,6H多型體為工業(yè)應(yīng)用上最為普遍的一種。

在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩(wěn)定性關(guān)系。在溫度低于1600℃時,SiC以β-SiC形式存在。當(dāng)高于1600℃時,β-SiC緩慢轉(zhuǎn)變成a-SiC的各種多型體。4H-SiC在2000℃左右容易生成;15R和6H多型體均需在2100℃C以上的高溫才易生成;對于6H-SiC,即使溫度超過2200C,也是非常穩(wěn)定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小,因此,做量雜質(zhì)的固溶也會引起多型體之間的熱穩(wěn)定關(guān)系変化。所以由此觀之碳化硅陶瓷同樣可作于耐高溫工業(yè)陶瓷。